Vishay Siliconix - SIE854DF-T1-E3

KEY Part #: K6405947

[1489tk Laos]


    Osa number:
    SIE854DF-T1-E3
    Tootja:
    Vishay Siliconix
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Elektrijuhi moodulid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - JFET-id and Dioodid - Zener - massiivid ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Vishay Siliconix SIE854DF-T1-E3 electronic components. SIE854DF-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE854DF-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIE854DF-T1-E3 Toote atribuudid

    Osa number : SIE854DF-T1-E3
    Tootja : Vishay Siliconix
    Kirjeldus : MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
    Sari : TrenchFET®
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 100V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4.4V @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 75nC @ 10V
    VG (maksimaalselt) : ±20V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 50V
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : 10-PolarPAK® (L)
    Pakett / kohver : 10-PolarPAK® (L)