IXYS - IXTQ460P2

KEY Part #: K6397724

IXTQ460P2 Hinnakujundus (USD) [20374tk Laos]

  • 1 pcs$2.22553
  • 10 pcs$1.98756
  • 100 pcs$1.62980
  • 500 pcs$1.31974
  • 1,000 pcs$1.05595

Osa number:
IXTQ460P2
Tootja:
IXYS
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - Zener - massiivid, Elektrijuhi moodulid, Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud and Transistorid - eriotstarbelised ...
Konkurentsieelis:
We specialize in IXYS IXTQ460P2 electronic components. IXTQ460P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ460P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ460P2 Toote atribuudid

Osa number : IXTQ460P2
Tootja : IXYS
Kirjeldus : MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Sari : PolarP2™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 500V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 270 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 48nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2890pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 480W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-3P
Pakett / kohver : TO-3P-3, SC-65-3

Samuti võite olla huvitatud
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.