Taiwan Semiconductor Corporation - MUR460S M6G

KEY Part #: K6457713

MUR460S M6G Hinnakujundus (USD) [644975tk Laos]

  • 1 pcs$0.05735

Osa number:
MUR460S M6G
Tootja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - RF, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation MUR460S M6G electronic components. MUR460S M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR460S M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR460S M6G Toote atribuudid

Osa number : MUR460S M6G
Tootja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
Sari : -
Osa olek : Not For New Designs
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 600V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 4A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.25V @ 4A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 50ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 10µA @ 600V
Mahtuvus @ Vr, F : 65pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-214AB, SMC
Tarnija seadme pakett : DO-214AB (SMC)
Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM