Infineon Technologies - IPD80N06S3-09

KEY Part #: K6407227

[1046tk Laos]


    Osa number:
    IPD80N06S3-09
    Tootja:
    Infineon Technologies
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid and Dioodid - alaldid - massiivid ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Infineon Technologies IPD80N06S3-09 electronic components. IPD80N06S3-09 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80N06S3-09, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD80N06S3-09 Toote atribuudid

    Osa number : IPD80N06S3-09
    Tootja : Infineon Technologies
    Kirjeldus : MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
    Sari : OptiMOS™
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 55V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 8.4 mOhm @ 40A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 55µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 88nC @ 10V
    VG (maksimaalselt) : ±20V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 6100pF @ 25V
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 107W (Tc)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : PG-TO252-3
    Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Samuti võite olla huvitatud
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IPA60R520CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3.

    • IPA60R600CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3.

    • IPA60R250CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3.