Infineon Technologies - BSC019N04LSATMA1

KEY Part #: K6419675

BSC019N04LSATMA1 Hinnakujundus (USD) [124569tk Laos]

  • 1 pcs$0.29692
  • 5,000 pcs$0.28504

Osa number:
BSC019N04LSATMA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Dioodid - sillaldid, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel and Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies BSC019N04LSATMA1 electronic components. BSC019N04LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC019N04LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC019N04LSATMA1 Toote atribuudid

Osa number : BSC019N04LSATMA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
Sari : OptiMOS™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 40V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 100A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 1.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 41nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 20V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PG-TDSON-8
Pakett / kohver : 8-PowerTDFN

Samuti võite olla huvitatud