Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Dioodid - alaldid - ühekordsed
  5. JANTXV1N5811US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5811US

KEY Part #: K6432875

JANTXV1N5811US Hinnakujundus (USD) [6394tk Laos]

  • 1 pcs$7.73568
  • 108 pcs$7.69719
Osa number:
JANTXV1N5811US
Tootja:
Microsemi Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HRV SM
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Elektrijuhi moodulid, Dioodid - Zener - üksikud, Türistorid - SCR - moodulid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - FET, MOSFET - RF and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5811US electronic components. JANTXV1N5811US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5811US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5811US Toote atribuudid

Osa number : JANTXV1N5811US
Tootja : Microsemi Corporation
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Sari : Military, MIL-PRF-19500/477
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 150V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 3A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 875mV @ 4A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 30ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 150V
Mahtuvus @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : SQ-MELF, B
Tarnija seadme pakett : B, SQ-MELF
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Viimased uudised

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Samuti võite olla huvitatud
  • VS-30WQ10FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ04FNTRLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-50WQ03FNTRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SS2FN6-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vrrm 2A IF(AV) SMF (DO-219AB)

  • SS2FL3HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified

  • SS2FL3-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V DO-219AB Ifsm 50A

Kuumad osad