Osa number :
SIR692DP-T1-RE3
Tootja :
Vishay Siliconix
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
250V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
24.2A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
7.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
63 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
30nC @ 7.5V
VG (maksimaalselt) :
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
1405pF @ 125V
Võimsuse hajumine (max) :
104W (Tc)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Tarnija seadme pakett :
PowerPAK® SO-8
Pakett / kohver :
PowerPAK® SO-8