Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Dioodid - alaldid - ühekordsed
  5. 1N3890

GeneSiC Semiconductor - 1N3890

KEY Part #: K6425478

1N3890 Hinnakujundus (USD) [16196tk Laos]

  • 1 pcs$2.54452
  • 100 pcs$2.03114
Osa number:
1N3890
Tootja:
GeneSiC Semiconductor
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4. Rectifiers 100V 12A Fast Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - TRIAC-d, Dioodid - sillaldid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Türistorid - SCR, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Elektrijuhi moodulid and Transistorid - JFET-id ...
Konkurentsieelis:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3890 electronic components. 1N3890 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3890, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3890 Toote atribuudid

Osa number : 1N3890
Tootja : GeneSiC Semiconductor
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 100V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 12A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.4V @ 12A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 200ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 25µA @ 50V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Chassis, Stud Mount
Pakett / kohver : DO-203AA, DO-4, Stud
Tarnija seadme pakett : DO-4
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 150°C
Samuti võite olla huvitatud
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T

Kuumad osad