Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Dioodid - alaldid - ühekordsed
  5. 1N5553US

Microsemi Corporation - 1N5553US

KEY Part #: K6440502

1N5553US Hinnakujundus (USD) [7165tk Laos]

  • 1 pcs$5.91419
  • 10 pcs$5.37698
  • 25 pcs$4.97374
  • 100 pcs$4.57046
  • 250 pcs$4.16715
  • 500 pcs$3.89831
Osa number:
1N5553US
Tootja:
Microsemi Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - RF, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - sillaldid, Dioodid - alaldid - ühekordsed and Dioodid - Zener - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5553US electronic components. 1N5553US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5553US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5553US Toote atribuudid

Osa number : 1N5553US
Tootja : Microsemi Corporation
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 800V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 3A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.2V @ 9A
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 2µs
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 1µA @ 800V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : SQ-MELF, B
Tarnija seadme pakett : B, SQ-MELF
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Viimased uudised

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Samuti võite olla huvitatud
  • VS-80APS08-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • V20100S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

  • BY448GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.65KV 1.5A DO204. Rectifiers 1.5 Amp 1650 Volt

  • EGP20G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC. Rectifiers 400 Volt 2.0A 50ns Glass Passivated

  • GI1-1200GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO204AC. Rectifiers 1200 Volt 1.0 Amp High Voltage

  • EGP20B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 100 Volt 2.0A 50ns Glass Passivated

Kuumad osad