Infineon Technologies - IPB65R380C6ATMA1

KEY Part #: K6404575

IPB65R380C6ATMA1 Hinnakujundus (USD) [1963tk Laos]

  • 1,000 pcs$0.43273

Osa number:
IPB65R380C6ATMA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - JFET-id, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - Zener - üksikud and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IPB65R380C6ATMA1 electronic components. IPB65R380C6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R380C6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R380C6ATMA1 Toote atribuudid

Osa number : IPB65R380C6ATMA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
Sari : CoolMOS™
Osa olek : Obsolete
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 650V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 10.6A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3.5V @ 320µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 39nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 100V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 83W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : D²PAK (TO-263AB)
Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB