Vishay Siliconix - SI2314EDS-T1-GE3

KEY Part #: K6397427

SI2314EDS-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [262736tk Laos]

  • 1 pcs$0.14078
  • 3,000 pcs$0.13247

Osa number:
SI2314EDS-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Elektrijuhi moodulid, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - Zener - massiivid and Dioodid - sillaldid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-GE3 electronic components. SI2314EDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2314EDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2314EDS-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SI2314EDS-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 20V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 3.77A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 1.8V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 950mV @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
VG (maksimaalselt) : ±12V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 750mW (Ta)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : SOT-23-3 (TO-236)
Pakett / kohver : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3