Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R303NL,L1Q

KEY Part #: K6416406

TPN4R303NL,L1Q Hinnakujundus (USD) [247410tk Laos]

  • 1 pcs$0.15701
  • 5,000 pcs$0.15623

Osa number:
TPN4R303NL,L1Q
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - SCR, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - IGBT - massiivid and Dioodid - Zener - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL,L1Q electronic components. TPN4R303NL,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN4R303NL,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN4R303NL,L1Q Toote atribuudid

Osa number : TPN4R303NL,L1Q
Tootja : Toshiba Semiconductor and Storage
Kirjeldus : MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
Sari : U-MOSVIII-H
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.3V @ 200µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 14.8nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 15V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 700mW (Ta), 34W (Tc)
Töötemperatuur : 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pakett / kohver : 8-PowerVDFN