Vishay Siliconix - SI3850ADV-T1-E3

KEY Part #: K6524446

[3829tk Laos]


    Osa number:
    SI3850ADV-T1-E3
    Tootja:
    Vishay Siliconix
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - IGBT - massiivid, Türistorid - SCR, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - sillaldid and Transistorid - eriotstarbelised ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Vishay Siliconix SI3850ADV-T1-E3 electronic components. SI3850ADV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3850ADV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3850ADV-T1-E3 Toote atribuudid

    Osa number : SI3850ADV-T1-E3
    Tootja : Vishay Siliconix
    Kirjeldus : MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
    Sari : TrenchFET®
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N and P-Channel, Common Drain
    FET funktsioon : Logic Level Gate
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 20V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 1.4A, 960mA
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 300 mOhm @ 500mA, 4.5V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 1.5V @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Võimsus - max : 1.08W
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Pakett / kohver : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Tarnija seadme pakett : 6-TSOP