Vishay Siliconix - SQD25N06-22L_GE3

KEY Part #: K6419638

SQD25N06-22L_GE3 Hinnakujundus (USD) [122682tk Laos]

  • 1 pcs$0.30149
  • 2,000 pcs$0.27134

Osa number:
SQD25N06-22L_GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 25A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - eriotstarbelised, Dioodid - alaldid - massiivid, Türistorid - SCR, Türistorid - SCR - moodulid and Transistorid - programmeeritav unijunktsioon ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3 electronic components. SQD25N06-22L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD25N06-22L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD25N06-22L_GE3 Toote atribuudid

Osa number : SQD25N06-22L_GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 60V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 50nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1975pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 62W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : TO-252, (D-Pak)
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63