Taiwan Semiconductor Corporation - ES3C M6G

KEY Part #: K6458058

ES3C M6G Hinnakujundus (USD) [838004tk Laos]

  • 1 pcs$0.04414

Osa number:
ES3C M6G
Tootja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - Zener - üksikud, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud and Türistorid - TRIAC-d ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES3C M6G electronic components. ES3C M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3C M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3C M6G Toote atribuudid

Osa number : ES3C M6G
Tootja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Sari : -
Osa olek : Not For New Designs
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 150V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 3A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 950mV @ 3A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 35ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 10µA @ 150V
Mahtuvus @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-214AB, SMC
Tarnija seadme pakett : DO-214AB (SMC)
Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM