ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160F-6TLA2-TR

KEY Part #: K938216

IS46R16160F-6TLA2-TR Hinnakujundus (USD) [19577tk Laos]

  • 1 pcs$2.61590
  • 1,500 pcs$2.60288

Osa number:
IS46R16160F-6TLA2-TR
Tootja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Täpsem kirjeldus:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Liides - filtrid - aktiivsed, Liides - spetsialiseerunud, PMIC - V / F ja F / V muundurid, PMIC - soojusjuhtimine, PMIC - vahetuskontrollerid, PMIC - mootoridraiverid, kontrollerid, PMIC - akulaadijad and Lineaarsed - võimendid - eriotstarbelised ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-6TLA2-TR electronic components. IS46R16160F-6TLA2-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160F-6TLA2-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160F-6TLA2-TR Toote atribuudid

Osa number : IS46R16160F-6TLA2-TR
Tootja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kirjeldus : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Sari : -
Osa olek : Active
Mälu tüüp : Volatile
Mälu vorming : DRAM
Tehnoloogia : SDRAM - DDR
Mälu suurus : 256Mb (16M x 16)
Kella sagedus : 166MHz
Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : 15ns
Juurdepääsu aeg : 700ps
Mäluliides : Parallel
Pinge - toide : 2.3V ~ 2.7V
Töötemperatuur : -40°C ~ 105°C (TA)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Tarnija seadme pakett : 66-TSOP II

Viimased uudised

Samuti võite olla huvitatud
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C