Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Dioodid - alaldid - ühekordsed
  5. JAN1N5553US

Microsemi Corporation - JAN1N5553US

KEY Part #: K6427476

JAN1N5553US Hinnakujundus (USD) [5181tk Laos]

  • 1 pcs$8.36048
  • 100 pcs$6.03248
Osa number:
JAN1N5553US
Tootja:
Microsemi Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Elektrijuhi moodulid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5553US electronic components. JAN1N5553US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5553US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5553US Toote atribuudid

Osa number : JAN1N5553US
Tootja : Microsemi Corporation
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Sari : Military, MIL-PRF-19500/420
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 800V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 3A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.3V @ 9A
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 2µs
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 1µA @ 800V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : SQ-MELF, B
Tarnija seadme pakett : D-5B
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Viimased uudised

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Samuti võite olla huvitatud
  • GP2D006A060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2.

  • GP2D003A060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2.

  • V20PWM10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PWM60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • VFT2080S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 80V ITO-220AB. Rectifiers 20A,80V,TRENCH SKY RECT.

  • M3045S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220AB.

Kuumad osad