Vishay Siliconix - SI1056X-T1-E3

KEY Part #: K6408715

[532tk Laos]


    Osa number:
    SI1056X-T1-E3
    Tootja:
    Vishay Siliconix
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Dioodid - RF, Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - sillaldid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m and Türistorid - TRIAC-d ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1056X-T1-E3 electronic components. SI1056X-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1056X-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1056X-T1-E3 Toote atribuudid

    Osa number : SI1056X-T1-E3
    Tootja : Vishay Siliconix
    Kirjeldus : MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F
    Sari : TrenchFET®
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 20V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : -
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 1.8V, 4.5V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 950mV @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 8.7nC @ 5V
    VG (maksimaalselt) : ±8V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 10V
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 236mW (Ta)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : SC-89-6
    Pakett / kohver : SOT-563, SOT-666