Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Dioodid - alaldid - ühekordsed
  5. JAN1N5802US

Microsemi Corporation - JAN1N5802US

KEY Part #: K6426959

JAN1N5802US Hinnakujundus (USD) [7195tk Laos]

  • 1 pcs$5.72756
  • 100 pcs$5.14244
Osa number:
JAN1N5802US
Tootja:
Microsemi Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes DIODE 1A 50V TRR 25NS
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - RF, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - alaldid - massiivid and Dioodid - sillaldid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5802US electronic components. JAN1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5802US Toote atribuudid

Osa number : JAN1N5802US
Tootja : Microsemi Corporation
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
Sari : Military, MIL-PRF-19500/477
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 50V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 2.5A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 975mV @ 2.5A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 25ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 1µA @ 50V
Mahtuvus @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : SQ-MELF, A
Tarnija seadme pakett : D-5A
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Viimased uudised

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Samuti võite olla huvitatud
  • V20PWM45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PWM10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PW15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • VFT5200-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V ITO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,200V,TRENCH SKY RECT.

  • V30120SG-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A 120V Schottky TrenchMOS

Kuumad osad