GeneSiC Semiconductor - S6JR

KEY Part #: K6425038

Täpsem kirjeldus:: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4. Rectifiers 600V 6A REV Leads Std. Recovery

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - RF, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Dioodid - alaldid - massiivid ...

Konkurentsieelis:: We specialize in GeneSiC Semiconductor S6JR electronic components. S6JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S6JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : S6JR

Tootja : GeneSiC Semiconductor

Kirjeldus : DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

Sari : -

Osa olek : Active

Dioodi tüüp : Standard, Reverse Polarity

Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 600V

Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 6A

Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.1V @ 6A

Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Vastupidine taastumisaeg (trr) : -

Praegune - vastupidine leke @ Vr : 10µA @ 100V

Mahtuvus @ Vr, F : -

Paigaldus tüüp : Chassis, Stud Mount

Pakett / kohver : DO-203AA, DO-4, Stud

Tarnija seadme pakett : DO-4

Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

Kuumad osad