Microsemi Corporation - APTGL60DSK120T3G

KEY Part #: K6533673

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - Zener - üksikud, Dioodid - RF, Dioodid - alaldid - massiivid and Transistorid - programmeeritav unijunktsioon ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation APTGL60DSK120T3G electronic components. APTGL60DSK120T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGL60DSK120T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : APTGL60DSK120T3G

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : MOD IGBT 1200V 80A SP3

Sari : -

Osa olek : Obsolete

IGBT tüüp : Trench Field Stop

Seadistamine : Dual Buck Chopper

Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 1200V

Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 80A

Võimsus - max : 280W

Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 50A

Praegune - koguja väljalülitus (max) : 250µA

Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 2.77nF @ 25V

Sisend : Standard

NTC termistor : Yes

Töötemperatuur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Chassis Mount

Pakett / kohver : SP3

Tarnija seadme pakett : SP3

Samuti võite olla huvitatud

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Kuumad osad