IXYS - IXTH20N60

KEY Part #: K6413343

IXTH20N60 Hinnakujundus (USD) [9197tk Laos]

  • 1 pcs$5.17902
  • 30 pcs$5.15325

Osa number:
IXTH20N60
Tootja:
IXYS
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - IGBT - üksikud, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Transistorid - programmeeritav unijunktsioon ...
Konkurentsieelis:
We specialize in IXYS IXTH20N60 electronic components. IXTH20N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH20N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH20N60 Toote atribuudid

Osa number : IXTH20N60
Tootja : IXYS
Kirjeldus : MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Sari : MegaMOS™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 600V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 170nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 300W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-247 (IXTH)
Pakett / kohver : TO-247-3

Samuti võite olla huvitatud
  • IRF5802TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • 2N7000RLRMG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • BTS282Z E3180A

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • FQD4P25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

  • FQD4N25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.

  • IRLR8113TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.