EPC - EPC2100ENGRT

KEY Part #: K6523298

EPC2100ENGRT Hinnakujundus (USD) [19847tk Laos]

1 pcs$2.29566
500 pcs$2.28424

Osa number:: EPC2100ENGRT

Tootja:: EPC

Täpsem kirjeldus:: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE.

Manufacturer's standard lead time:: Laos

Säilitusaeg:: Üks aasta

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Makseviis:

Saadetise viis:

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - RF, Dioodid - alaldid - massiivid, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Türistorid - SCR - moodulid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - JFET-id and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel ...

Konkurentsieelis:: We specialize in EPC EPC2100ENGRT electronic components. EPC2100ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2100ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2100ENGRT Toote atribuudid

Osa number : EPC2100ENGRT

Tootja : EPC

Kirjeldus : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Sari : eGaN®

Osa olek : Active

FET tüüp : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET funktsioon : GaNFET (Gallium Nitride)

Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V

Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)

Rds sees (max) @ id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Võimsus - max : -

Töötemperatuur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Surface Mount

Pakett / kohver : Die

Tarnija seadme pakett : Die

Samuti võite olla huvitatud

SI1539DDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.
SM6K2T110

Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.
ZXMC3AMCTA

Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.
AO8804L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

MOSFET 2N-CH 20V.
SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.
SH8K32TB1

Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.

English Eesti Vabariik