Infineon Technologies - IPD090N03LGBTMA1

KEY Part #: K6421114

IPD090N03LGBTMA1 Hinnakujundus (USD) [352577tk Laos]

  • 1 pcs$0.10491
  • 2,500 pcs$0.09626

Osa number:
IPD090N03LGBTMA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - eriotstarbelised, Dioodid - sillaldid, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Dioodid - RF, Elektrijuhi moodulid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IPD090N03LGBTMA1 electronic components. IPD090N03LGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD090N03LGBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD090N03LGBTMA1 Toote atribuudid

Osa number : IPD090N03LGBTMA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 30V 40A TO252
Sari : OptiMOS™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.2V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 15nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 15V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 42W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PG-TO252-3
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Samuti võite olla huvitatud