GeneSiC Semiconductor - 1N3879

KEY Part #: K6442659

Täpsem kirjeldus:: DIODE GEN PURP 50V 6A DO4. Rectifiers 50V 6A Fast Recovery

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Türistorid - SCR, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Transistorid - programmeeritav unijunktsioon ...

Konkurentsieelis:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3879 electronic components. 1N3879 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3879, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : 1N3879

Tootja : GeneSiC Semiconductor

Kirjeldus : DIODE GEN PURP 50V 6A DO4

Sari : -

Osa olek : Active

Dioodi tüüp : Standard

Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 50V

Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 6A

Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.4V @ 6A

Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Vastupidine taastumisaeg (trr) : 200ns

Praegune - vastupidine leke @ Vr : 15µA @ 50V

Mahtuvus @ Vr, F : -

Paigaldus tüüp : Chassis, Stud Mount

Pakett / kohver : DO-203AA, DO-4, Stud

Tarnija seadme pakett : DO-4

Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud

GP2D010A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.
GP2D006A065C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.
GP2D005A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.
GDP03S060C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.
LXA08B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr
VS-MBRD320PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.

Kuumad osad