IXYS - IXFX90N30

KEY Part #: K6397626

IXFX90N30 Hinnakujundus (USD) [5319tk Laos]

  • 1 pcs$9.36329
  • 10 pcs$8.51406
  • 100 pcs$6.88395

Osa number:
IXFX90N30
Tootja:
IXYS
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Türistorid - TRIAC-d, Elektrijuhi moodulid, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid and Dioodid - Zener - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in IXYS IXFX90N30 electronic components. IXFX90N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX90N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX90N30 Toote atribuudid

Osa number : IXFX90N30
Tootja : IXYS
Kirjeldus : MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247
Sari : HiPerFET™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 300V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 33 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 8mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 360nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 10000pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 560W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : PLUS247™-3
Pakett / kohver : TO-247-3

Samuti võite olla huvitatud
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.