ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

KEY Part #: K938351

IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR Hinnakujundus (USD) [20206tk Laos]

  • 1 pcs$2.26779
  • 2,500 pcs$2.11354

Osa number:
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR
Tootja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Täpsem kirjeldus:
IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA. SRAM 4Mb, 8ns,3.3V 256K x 16 Asyn SRAM
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Liides - spetsialiseerunud, PMIC - pingeregulaatorid - lineaarne + kommutatsio, PMIC - juhendajad, Kell / ajastus - kellapuhvrid, draiverid, Lineaarsed - võimendid - video võimendid ja moodul, Loogika - FIFOs mälu, PMIC - RMS-alalisvoolu muundurid and Liides - filtrid - aktiivsed ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR electronic components. IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR Toote atribuudid

Osa number : IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR
Tootja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kirjeldus : IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA
Sari : -
Osa olek : Active
Mälu tüüp : Volatile
Mälu vorming : SRAM
Tehnoloogia : SRAM - Asynchronous
Mälu suurus : 4Mb (256K x 16)
Kella sagedus : -
Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : 8ns
Juurdepääsu aeg : 8ns
Mäluliides : Parallel
Pinge - toide : 3V ~ 3.6V
Töötemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 48-TFBGA
Tarnija seadme pakett : 48-TFBGA (6x8)

Viimased uudised

Samuti võite olla huvitatud
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W9812G2KB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,