Tootja :
STMicroelectronics
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Tehnoloogia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
1200V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
20V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
3.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
22nC @ 20V
VG (maksimaalselt) :
+25V, -10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 400V
Võimsuse hajumine (max) :
150W (Tc)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Through Hole
Tarnija seadme pakett :
HiP247™
Pakett / kohver :
TO-247-3