Central Semiconductor Corp - CTLDM304P-M832DS TR

KEY Part #: K6523015

CTLDM304P-M832DS TR Hinnakujundus (USD) [18079tk Laos]

3,000 pcs$0.15140

Osa number:: CTLDM304P-M832DS TR

Tootja:: Central Semiconductor Corp

Täpsem kirjeldus:: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS.

Manufacturer's standard lead time:: Laos

Säilitusaeg:: Üks aasta

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Makseviis:

Saadetise viis:

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Elektrijuhi moodulid, Dioodid - Zener - massiivid, Türistorid - TRIAC-d and Türistorid - SCR ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Central Semiconductor Corp CTLDM304P-M832DS TR electronic components. CTLDM304P-M832DS TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CTLDM304P-M832DS TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

CTLDM304P-M832DS TR Toote atribuudid

Osa number : CTLDM304P-M832DS TR

Tootja : Central Semiconductor Corp

Kirjeldus : MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS

Sari : -

Osa olek : Obsolete

FET tüüp : 2 P-Channel (Dual)

FET funktsioon : Standard

Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V

Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 4.2A

Rds sees (max) @ id, Vgs : 70 mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 1.3V @ 250µA

Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 6.4nC @ 4.5V

Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 15V

Võimsus - max : 1.65W

Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Surface Mount

Pakett / kohver : 8-TDFN Exposed Pad

Tarnija seadme pakett : TLM832DS

Samuti võite olla huvitatud

IRF5810TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.
FDY2000PZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.
BSL308CH6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.
ZXMN2AM832TA

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.
DMN2019UTS-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.
DMG8822UTS-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

English Eesti Vabariik