Osa number :
IPU80R1K4CEAKMA1
Tootja :
Infineon Technologies
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 800V TO251-3
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
800V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
3.9A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
3.9V @ 240µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
23nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
570pF @ 100V
Võimsuse hajumine (max) :
63W (Tc)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Through Hole
Tarnija seadme pakett :
PG-TO251-3
Pakett / kohver :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA