Osa number :
SIHB6N65E-GE3
Tootja :
Vishay Siliconix
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
650V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
48nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
820pF @ 100V
Võimsuse hajumine (max) :
78W (Tc)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Tarnija seadme pakett :
D²PAK (TO-263)
Pakett / kohver :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB