Vishay Siliconix - SIHB6N65E-GE3

KEY Part #: K6399854

SIHB6N65E-GE3 Hinnakujundus (USD) [88991tk Laos]

  • 1 pcs$0.43938
  • 1,000 pcs$0.41346

Osa number:
SIHB6N65E-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - RF, Türistorid - SCR, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB6N65E-GE3 electronic components. SIHB6N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB6N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB6N65E-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SIHB6N65E-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Sari : -
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 650V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 48nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 78W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : D²PAK (TO-263)
Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Samuti võite olla huvitatud
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.