Vishay Siliconix - SI7858BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6419553

SI7858BDP-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [118801tk Laos]

  • 1 pcs$0.31134
  • 3,000 pcs$0.29235

Osa number:
SI7858BDP-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - alaldid - massiivid, Türistorid - SCR and Türistorid - TRIAC-d ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SI7858BDP-T1-GE3 electronic components. SI7858BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7858BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7858BDP-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SI7858BDP-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 12V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 1.8V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 1V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 84nC @ 4.5V
VG (maksimaalselt) : ±8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 5760pF @ 6V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 5W (Ta), 48W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® SO-8
Pakett / kohver : PowerPAK® SO-8

Samuti võite olla huvitatud