Infineon Technologies - IPW60R040CFD7XKSA1

KEY Part #: K6397493

IPW60R040CFD7XKSA1 Hinnakujundus (USD) [6622tk Laos]

  • 1 pcs$6.22268

Osa number:
IPW60R040CFD7XKSA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
HIGH POWERNEW.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - JFET-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - alaldid - massiivid and Transistorid - FET, MOSFET - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R040CFD7XKSA1 electronic components. IPW60R040CFD7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R040CFD7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R040CFD7XKSA1 Toote atribuudid

Osa number : IPW60R040CFD7XKSA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : HIGH POWERNEW
Sari : OptiMOS™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 600V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 40 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4.5V @ 1.25mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 109nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 4354pF @ 400V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 227W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : PG-TO247-3
Pakett / kohver : TO-247-3