Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Dioodid - alaldid - ühekordsed
  5. JANTXV1N6622

Microsemi Corporation - JANTXV1N6622

KEY Part #: K6440060

JANTXV1N6622 Hinnakujundus (USD) [3696tk Laos]

  • 1 pcs$11.72149
Osa number:
JANTXV1N6622
Tootja:
Microsemi Corporation
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Elektrijuhi moodulid and Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6622 electronic components. JANTXV1N6622 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6622, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6622 Toote atribuudid

Osa number : JANTXV1N6622
Tootja : Microsemi Corporation
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL
Sari : Military, MIL-PRF-19500/585
Osa olek : Discontinued at Digi-Key
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 660V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1.2A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.4V @ 1.2A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 30ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 500nA @ 660V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Through Hole
Pakett / kohver : A, Axial
Tarnija seadme pakett : -
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 150°C

Viimased uudised

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Samuti võite olla huvitatud
  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • GSD2004W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT43W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM

  • BAT54W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA Single

  • BAS16D-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS

  • BAS16D-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 250mA 6ns 500mA IFSM

Kuumad osad