IXYS - IXFH52N30Q

KEY Part #: K6397804

IXFH52N30Q Hinnakujundus (USD) [7026tk Laos]

  • 1 pcs$6.74712
  • 10 pcs$6.13234
  • 100 pcs$5.21251

Osa number:
IXFH52N30Q
Tootja:
IXYS
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - IGBT-moodulid, Türistorid - SCR, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - Zener - üksikud, Dioodid - RF and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in IXYS IXFH52N30Q electronic components. IXFH52N30Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH52N30Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH52N30Q Toote atribuudid

Osa number : IXFH52N30Q
Tootja : IXYS
Kirjeldus : MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
Sari : HiPerFET™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 300V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 4mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 150nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 360W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-247AD (IXFH)
Pakett / kohver : TO-247-3

Samuti võite olla huvitatud
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.