ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR16800G-6BLI-TR

KEY Part #: K939329

IS43LR16800G-6BLI-TR Hinnakujundus (USD) [24533tk Laos]

  • 1 pcs$2.23473
  • 2,000 pcs$2.22361

Osa number:
IS43LR16800G-6BLI-TR
Tootja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Täpsem kirjeldus:
IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 128M, 1.8V, M-DDR 8Mx32, 166Mhz, RoHS
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: PMIC - värava draiverid, PMIC - kehtiv regulatsioon / haldus, Lineaarsed - võimendid - eriotstarbelised, Liides - I / O laiendajad, Loogika - väravad ja inverterid, Lineaarne - videotöötlus, Loogika - multivibraatorid and Liides - kodeerijad, dekoodrid, muundurid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16800G-6BLI-TR electronic components. IS43LR16800G-6BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR16800G-6BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR16800G-6BLI-TR Toote atribuudid

Osa number : IS43LR16800G-6BLI-TR
Tootja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kirjeldus : IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
Sari : -
Osa olek : Active
Mälu tüüp : Volatile
Mälu vorming : DRAM
Tehnoloogia : SDRAM - Mobile LPDDR
Mälu suurus : 128Mb (8M x 16)
Kella sagedus : 166MHz
Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : 15ns
Juurdepääsu aeg : 5.5ns
Mäluliides : Parallel
Pinge - toide : 1.7V ~ 1.95V
Töötemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 60-TFBGA
Tarnija seadme pakett : 60-TFBGA (8x10)

Viimased uudised

Samuti võite olla huvitatud
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.