Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Transistorid - FET, MOSFET - üksikud
  5. GA10JT12-263

GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-263

KEY Part #: K6399113

GA10JT12-263 Hinnakujundus (USD) [4640tk Laos]

  • 1 pcs$10.16943
  • 10 pcs$9.24469
  • 25 pcs$8.55122
  • 100 pcs$7.47449
  • 250 pcs$6.81498
Osa number:
GA10JT12-263
Tootja:
GeneSiC Semiconductor
Täpsem kirjeldus:
TRANS SJT 1200V 25A.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - sillaldid, Dioodid - alaldid - massiivid, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Elektrijuhi moodulid and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 electronic components. GA10JT12-263 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-263, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA10JT12-263 Toote atribuudid

Osa number : GA10JT12-263
Tootja : GeneSiC Semiconductor
Kirjeldus : TRANS SJT 1200V 25A
Sari : -
Osa olek : Active
FET tüüp : -
Tehnoloogia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 1200V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : -
Rds sees (max) @ id, Vgs : 120 mOhm @ 10A
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : -
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : -
VG (maksimaalselt) : -
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1403pF @ 800V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 170W (Tc)
Töötemperatuur : 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : -
Pakett / kohver : -
Samuti võite olla huvitatud
  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN1206L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • VN10KN3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.

Kuumad osad