Microsemi Corporation - JANTXV1N6630US

KEY Part #: K6446828

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - eriotstarbelised, Türistorid - SCR, Dioodid - alaldid - ühekordsed and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6630US electronic components. JANTXV1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6630US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : JANTXV1N6630US

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Sari : Military, MIL-PRF-19500/590

Osa olek : Active

Dioodi tüüp : Standard

Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 1000V

Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1.4A

Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.4V @ 1.4A

Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Vastupidine taastumisaeg (trr) : 50ns

Praegune - vastupidine leke @ Vr : 2µA @ 1000V

Mahtuvus @ Vr, F : -

Paigaldus tüüp : Surface Mount

Pakett / kohver : SQ-MELF, E

Tarnija seadme pakett : D-5B

Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud

SRP600J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 6A P600.
GPP60G-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 6A P600.
GPP60B-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.
BYM07-200HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.
SBLB1030HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.
SBLB10L25HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.