Osa number :
GP1M009A020PG
Tootja :
Global Power Technologies Group
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
200V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
8.6nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
414pF @ 25V
Võimsuse hajumine (max) :
52W (Tc)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Through Hole
Tarnija seadme pakett :
I-PAK
Pakett / kohver :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA