ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-3DBL

KEY Part #: K939432

IS43DR86400C-3DBL Hinnakujundus (USD) [25136tk Laos]

  • 1 pcs$2.18108
  • 242 pcs$2.17023

Osa number:
IS43DR86400C-3DBL
Tootja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Täpsem kirjeldus:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Liides - kodeerijad, dekoodrid, muundurid, Liides - CODEC, PMIC - voolu jaotuslülitid, laadimisdraiverid, Liides - analooglülitid, multiplekserid, demultipl, IC kiibid, PMIC - kuvadraiverid, PMIC - pingeregulaatorid - lineaarsed regulaatorik and Audio eriotstarbeline ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBL electronic components. IS43DR86400C-3DBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-3DBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400C-3DBL Toote atribuudid

Osa number : IS43DR86400C-3DBL
Tootja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kirjeldus : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Sari : -
Osa olek : Active
Mälu tüüp : Volatile
Mälu vorming : DRAM
Tehnoloogia : SDRAM - DDR2
Mälu suurus : 512Mb (64M x 8)
Kella sagedus : 333MHz
Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : 15ns
Juurdepääsu aeg : 450ps
Mäluliides : Parallel
Pinge - toide : 1.7V ~ 1.9V
Töötemperatuur : 0°C ~ 70°C (TA)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 60-TFBGA
Tarnija seadme pakett : 60-TWBGA (8x10.5)

Viimased uudised

Samuti võite olla huvitatud
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • CY7C199D-25SXE

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM

  • AS8C401801-QC166N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W966D6HBGX7I

    Winbond Electronics

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 64M pSRAM x16, ADP, 133MHz, Ind temp