Vishay Semiconductor Diodes Division - GP30K-E3/73

KEY Part #: K6440196

GP30K-E3/73 Hinnakujundus (USD) [322487tk Laos]

  • 1 pcs$0.11469
  • 2,000 pcs$0.09496

Osa number:
GP30K-E3/73
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 125 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - SCR - moodulid, Türistorid - SCR, Transistorid - JFET-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - Zener - üksikud and Transistorid - programmeeritav unijunktsioon ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP30K-E3/73 electronic components. GP30K-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP30K-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP30K-E3/73 Toote atribuudid

Osa number : GP30K-E3/73
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Sari : SUPERECTIFIER®
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 800V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 3A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.1V @ 3A
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 5µs
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 800V
Mahtuvus @ Vr, F : 40pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Through Hole
Pakett / kohver : DO-201AD, Axial
Tarnija seadme pakett : DO-201AD
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FDHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier