GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - IGBT-moodulid, Dioodid - RF, Elektrijuhi moodulid, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - alaldid - ühekordsed and Transistorid - programmeeritav unijunktsioon ...

Konkurentsieelis:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 electronic components. GA04JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA04JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : GA04JT17-247

Tootja : GeneSiC Semiconductor

Kirjeldus : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

Sari : -

Osa olek : Active

FET tüüp : -

Tehnoloogia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tühjendage toitepingele (Vdss) : 1700V

Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 4A (Tc) (95°C)

Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : -

Rds sees (max) @ id, Vgs : 480 mOhm @ 4A

Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : -

Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : -

VG (maksimaalselt) : -

Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET funktsioon : -

Võimsuse hajumine (max) : 106W (Tc)

Töötemperatuur : 175°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Through Hole

Tarnija seadme pakett : TO-247AB

Pakett / kohver : TO-247-3

Samuti võite olla huvitatud

FCD3400N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
FCD260N65S3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
FCD7N60TM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
FCD2250N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.
FDD86250

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.
TK25A60X5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

Kuumad osad