Microsemi Corporation - APT200GN60JG

KEY Part #: K6534336

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Dioodid - RF, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - eriotstarbelised, Türistorid - TRIAC-d, Türistorid - SCR - moodulid and Transistorid - IGBT - massiivid ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation APT200GN60JG electronic components. APT200GN60JG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT200GN60JG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : APT200GN60JG

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : IGBT 600V 283A 682W SOT227

Sari : -

Osa olek : Discontinued at Digi-Key

IGBT tüüp : Trench Field Stop

Seadistamine : Single

Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 600V

Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 283A

Võimsus - max : 682W

Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 200A

Praegune - koguja väljalülitus (max) : 25µA

Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 14.1nF @ 25V

Sisend : Standard

NTC termistor : No

Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Chassis Mount

Pakett / kohver : ISOTOP

Tarnija seadme pakett : ISOTOP®

Samuti võite olla huvitatud

GA400TD25S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.
CPV364M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.
CPV363M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.
GA200SA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT UFAST 600V 100A SOT227.
GA200SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT STD 600V 100A SOT227.
STGE50NB60HD

STMicroelectronics

IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.

Kuumad osad