Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWF10S-M3

KEY Part #: K6442119

VS-8EWF10S-M3 Hinnakujundus (USD) [28864tk Laos]

  • 1 pcs$1.49838
  • 10 pcs$1.34546
  • 25 pcs$1.27204
  • 100 pcs$1.04592
  • 250 pcs$0.99230
  • 500 pcs$0.89039
  • 1,000 pcs$0.75093
  • 2,500 pcs$0.71517

Osa number:
VS-8EWF10S-M3
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA. Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Dioodid - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid and Dioodid - Zener - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWF10S-M3 electronic components. VS-8EWF10S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWF10S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8EWF10S-M3 Toote atribuudid

Osa number : VS-8EWF10S-M3
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 1000V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 8A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.3V @ 8A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 270ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 100µA @ 1000V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tarnija seadme pakett : D-PAK (TO-252AA)
Töötemperatuur - ristmik : -40°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud