ON Semiconductor - HGTG12N60A4D

KEY Part #: K6422791

HGTG12N60A4D Hinnakujundus (USD) [24740tk Laos]

  • 1 pcs$1.66585
  • 450 pcs$1.10210

Osa number:
HGTG12N60A4D
Tootja:
ON Semiconductor
Täpsem kirjeldus:
IGBT 600V 54A 167W TO247.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud and Transistorid - JFET-id ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ON Semiconductor HGTG12N60A4D electronic components. HGTG12N60A4D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTG12N60A4D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG12N60A4D Toote atribuudid

Osa number : HGTG12N60A4D
Tootja : ON Semiconductor
Kirjeldus : IGBT 600V 54A 167W TO247
Sari : -
Osa olek : Not For New Designs
IGBT tüüp : -
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 600V
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 54A
Praegune - koguja impulss (Icm) : 96A
Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 12A
Võimsus - max : 167W
Energia vahetamine : 55µJ (on), 50µJ (off)
Sisendi tüüp : Standard
Värava laadimine : 78nC
Td (sisse / välja) @ 25 ° C : 17ns/96ns
Testi seisund : 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 30ns
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Pakett / kohver : TO-247-3
Tarnija seadme pakett : TO-247