Vishay Siliconix - SI7101DN-T1-GE3

KEY Part #: K6416178

SI7101DN-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [158402tk Laos]

  • 1 pcs$0.23350
  • 3,000 pcs$0.21927

Osa number:
SI7101DN-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - JFET-id, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - eriotstarbelised, Türistorid - TRIAC-d and Dioodid - RF ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SI7101DN-T1-GE3 electronic components. SI7101DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7101DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7101DN-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SI7101DN-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : P-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 7.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 102nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 3595pF @ 15V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® 1212-8
Pakett / kohver : PowerPAK® 1212-8