Tootja :
ON Semiconductor
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
900V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
11.4A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
960 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
94nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 25V
Võimsuse hajumine (max) :
300W (Tc)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Through Hole
Tarnija seadme pakett :
TO-3P
Pakett / kohver :
TO-3P-3, SC-65-3