ON Semiconductor - FDN359BN

KEY Part #: K6395239

FDN359BN Hinnakujundus (USD) [668296tk Laos]

  • 1 pcs$0.05535

Osa number:
FDN359BN
Tootja:
ON Semiconductor
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - RF, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Dioodid - Zener - massiivid and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ON Semiconductor FDN359BN electronic components. FDN359BN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN359BN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN359BN Toote atribuudid

Osa number : FDN359BN
Tootja : ON Semiconductor
Kirjeldus : MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
Sari : PowerTrench®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 46 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 7nC @ 5V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 15V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 500mW (Ta)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : SuperSOT-3
Pakett / kohver : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3