Ampleon USA Inc. - BLM8G0710S-60PBY

KEY Part #: K6466645

BLM8G0710S-60PBY Hinnakujundus (USD) [2331tk Laos]

1 pcs$22.05174
100 pcs$21.94203

Osa number:: BLM8G0710S-60PBY

Tootja:: Ampleon USA Inc.

Täpsem kirjeldus:: RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112.

Manufacturer's standard lead time:: Laos

Säilitusaeg:: Üks aasta

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Makseviis:

Saadetise viis:

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid and Dioodid - Zener - üksikud ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Ampleon USA Inc. BLM8G0710S-60PBY electronic components. BLM8G0710S-60PBY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLM8G0710S-60PBY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLM8G0710S-60PBY Toote atribuudid

Osa number : BLM8G0710S-60PBY

Tootja : Ampleon USA Inc.

Kirjeldus : RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112

Sari : -

Osa olek : Active

Transistori tüüp : LDMOS (Dual)

Sagedus : 957.5MHz

Kasum : 36.2dB

Pinge - test : 28V

Praegune hinnang : -

Müra joonis : -

Praegune - test : 60mA

Võimsus : 6W

Pinge - hinnatud : 65V

Pakett / kohver : SOT-1211-2

Tarnija seadme pakett : 16-HSOPF

Samuti võite olla huvitatud

NPTB00004A

M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC.
RFM12U7X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.
RFM08U9X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.
PD55025S-E

STMicroelectronics

FET RF 40V 500MHZ PWRSO10.
PD57006S-E

STMicroelectronics

FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10.
PD57030S-E

STMicroelectronics

FET RF 65V 945MHZ PWRSO10.

English Eesti Vabariik