Vishay Semiconductor Diodes Division - EGF1AHE3_A/I

KEY Part #: K6457361

EGF1AHE3_A/I Hinnakujundus (USD) [460696tk Laos]

  • 1 pcs$0.08029

Osa number:
EGF1AHE3_A/I
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA. Rectifiers 1A,50V,50NS AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - eriotstarbelised, Dioodid - RF, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - alaldid - massiivid, Dioodid - sillaldid and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1AHE3_A/I electronic components. EGF1AHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1AHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGF1AHE3_A/I Toote atribuudid

Osa number : EGF1AHE3_A/I
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Sari : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 50V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1V @ 1A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 50ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 50V
Mahtuvus @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-214BA
Tarnija seadme pakett : DO-214BA (GF1)
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • SS14-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt

  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • ES2B-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • ES2FHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE

  • ES2FHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE

  • ES2CHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD